Ohmの法則と超伝導
本節では Ohm
の法則について解説しましょう。第 i 番目の荷電粒子の質量を mi 、電荷密度を ri 、電荷を qi 、速度の場を vi とします。また、荷電粒子は、速度 v で運動する物体の中を移動し、その物体から相対速度 - vki ³ 0
(11-1) |
dt |
(mivi) |
この方程式の解は、 ® ¥(11-1)
で d
t/d = 0
(11-2) |
qi(E |
となります。一方、物体を構成して物体と共に移動する電荷の密度を r'
とすると、全体の電荷密度と電流密度は、
(11-3) |
(11-4) Jv |
となるので、
(11-5) J |
ここで右辺に (11-2)
を代入すれば、
(11-6) JB |
ただし
(11-7) |
qi |
(11-8) |
(11-9) ι |
で、ki ³ 00 £ s,si £ ¥(11-6)
を一般化されたOhm
の法則と呼ぶことにします。
もし r' か v のいずれかが 0 で、しかもすべての i について /kisi = hri
(11-10) ι |
したがって、(11-6)
は
(11-11)J |
となります。右辺第2項をホール効果と呼び、h をホール係数と言います。通常は、(11-11)
で v も B も 0 の場合の式:
(11-12)J |
をOhm
の法則と呼んでいます。この場合の s を導電率といい、その逆数を抵抗率といいます。
また、曲線内を流れる電流のように、荷電粒子と物体の相対速度 - vli によって
(11-13)vi |
と書けますから、これを (11-5)
に代入すれば、
(11-14)J |
ただし
(11-15)Λ |
と置きました。また、(11-13)
を (11-9)
に代入すれば、
(11-16) ι (v ) |
となります。ただし
(11-17) |
です。(11-16)
を (11-6)
に代入すれば、
(11-18)J (E + v ´ B )+ l n ´ |
という式が得られます。この式は次節で使用します。
次に、Ohm
の法則が成り立つ部分では電荷が指数関数的に減少することを確かめます。D と E は、定数 e により (2-9a)
の比例関係にあるとします。このとき連続の式と (11-12),(2-9a),(M2)
により
(11-19) |
¶ |
divJ = - s divE = - |
e |
divD |
e |
ですから、= 0r の値を ro
と書けば
(11-20)t |
となって、r は指数関数的に減少することがわかります。特に s = ¥
さて、荷電粒子の運動方程式 (11-1)
において、抵抗が 0 になるような媒体において、Ohm
の法則のときと同様に ´ B
(11-21) |
dt |
(mivi) |
となるので、
(11-22) J |
(11-23) |
qi mi |
(11-24) |
と置き、更に d
t/d¶/¶t
(11-25) |
¶ |
という式が得られます。ここで k を定数と仮定して、両辺の rot
を取れば、Maxwell
方程式 (M3)
により
(11-26) |
¶t |
rot J |
¶ |
rotE = - k |
¶ |
すなわち
(11-27) |
¶ |
( rot J |
となります。 ゆえに rot
J + k B0 である場合:
(11-28) rotJ |
を考え、方程式 (11-25)
と (11-28)
を満たす媒体を超伝導体といい、(11-25)
と (11-28)
をLondon
方程式といいます。
さて、超伝導体 Ω では、B や J は Ω の内部で 0 になることを証明しましょう。
まず最初に定常な場合を考えます。定常な場合のMaxwell
方程式 (M1)
から
(11-29) rotB |
が成り立つので、両辺の rot
を取り、Maxwell
方程式 (M4)
と (11-28)
を使って変形すると、
(11-30a)J |
同様に、(11-28)
の rot
を取り、定常な場合の連続の式 div
J = 0(11-29)
を使って変形すると、
(11-30b)B |
となって、B , J いずれの成分も、方程式:
(11-31) |
を満たすことがわかります。
さて、超伝導体 Ω 内の任意の点 s' に対し、s' と ¶Ω¶Us'1 となる方程式 (11-31)
の解 ca,
s' º | s
- s' |c(s)
º c(r)
(11-32) |
æ è |
r r |
ö ø |
· grad |
r |
r |
div r |
r r |
æ è |
r |
ö¢ ø |
r |
r ² |
r |
r |
(r |
ゆえに満たすべき方程式は (r
ca,s' )" = a² r ca,s'
(11-33) |
dsinh ( |
となり、特に
(11-34) |
r |
dsinh ( |
sinh ( |
が成り立ちます。
さて、一般に、領域 Ω とその境界で定義された関数 u が、Ω の内部の grad
u = 0(11-31)
を満たすものとします。このとき
(11-35) | u(s) | |
が成り立ちます。
なぜなら、もしある点 s で左辺が右辺より大きい値を取ったとすると、Ω のある内点 s" で u 又は - u- ugrad
u = 0£ 0Du(s" )
£ 0(s" )
> 0(11-31)
と矛盾します。
さて、この一般論を、考察している超伝導体 Ω 内の任意の点 s' と、B 又は J の任意の成分 u と、任意の正数 b < a º u / cb,
s'c の添字 b と s' を省略すると、
(11-36) grad v |
u |
grad u |
(11-37) |
|
|||||||
|
||||||||
|
||||||||
|
||||||||
|
ですから、a²
- b² > 0g²
grad
v = 0Dv = g²
v(11-35)
の u と Ω をそれぞれ v と
ここで更に b ® a(11-35)
は関数 / ca,
s'
(11-38) | u(s) / |
ところが ¶Us'ca,
s' = 1
(11-39) | u(s) | |
を意味します。一方 Ì Ω(11-35)
により || u ||
¶Us' £ || u ||¶Ω(11-39)
の s に s' を代入して (11-34)
を用い、s' を改めて s と書き直せば、
(11-40) | u(s) | |
sinh ( |
e |
という評価式が成り立つことがわかります。ただし d は ÎΩ¶Ω
一方、(11-23),(11-24)
により、k は荷電粒子の個数密度に比例するので a は非常に大きく、したがって s が境界にごく近い点でない限り、ad >> 1(11-40)
により (s)
» 0Meissner
効果といいます。
さて、(11-40)
は » 0¶Ω¶Ω¶Us'¶Ω| u(s) |
まず、¶Us"(11-40)
により、ほとんど 0 になります。したがって || u ||
¶Us' » | u(s" ) |(11-39)
と (11-33)
により、s が ¶Ω
(11-41) | u(s) | |
dsinh ( |
| u(s" ) | e |
d( |
| u(s" ) | e |
となります。ただし » rad,
ar >> 1e
-2ad » e-2ar » 0
このように、超伝導体の境界近くでは、u の値は Ω の境界からの距離 d' に関して指数関数的に減少します。a はその減少度合いを表しているので、その逆数 lL
º 1 / aLondon
の進入長とよびます。lL
nm
程度です。
さて、次に場が定常でない場合を考察します。B と J が周期関数:
(11-42a) B |
(11-42b) J |
である場合を考えることにし、Maxwell
方程式 (M1)
をLondon
の第1方程式 (11-25)
と (11-42b)
を使って変形すれば
(11-43) rotB |
¶ |
k |
²J ¶ ² |
² k |
J |
となります。ただし
(11-44) |
² k |
² k ² |
です。ここで
(11-45) |
と置けば、
(11-46) |
² |
²- |
² |
となりますが、w < caa* > 0m* > 0(11-43)
の div
を取って m*div
J = 0(11-43)
とLondon
の第2方程式 (11-28)
から (11-30)
のかわりに
(11-47a)B |
(11-47b)J |
が得られます。(11-46)
により、w が比較的小さい低周波の場合は、a* >> 1Meissner
効果は現れます。
しかし w が大きくなるに従って次第に a*London
の進入長 lL
º 1 / a*w ³ caa* £ 0Meissner
効果は消失します。